1.0 V low voltage CMOS mixer based on voltage control load technique

来源 :Journal of Central South University of Technology | 被引量 : 0次 | 上传用户:sevenzzzz
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互补金属氧化物半导体活跃混合器基于能在 1.0 V 供应电压操作的电压控制负担技术被建议,并且它的操作原则,噪音和线性分析也被介绍。与基于 RF 的常规 Gilbert 类型混合器相反当前变换,在这的负担阻抗建议混合器被 LO 信号控制,并且它在对低电压应用合适的每个分支有仅仅二只叠的晶体管。混合器为 2.4 个 GHz 主义乐队应用程序在 0.18 m 互补金属氧化物半导体过程被设计并且制作。与 2.44 GHz RF 信号和 2.442 GHz LO 信号的输入,建议混合器的测量说明是:变换获得(G
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