【摘 要】
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第二代碳化硅(SiC)肖特基二极管——thinQ!2G是由一个肖特基结构和一个与它平行的独特的低电阻PN结组成,因此具备更加强大的浪涌电流处理能力,同时又继承了第一代碳化硅肖特
【机 构】
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第二代碳化硅(SiC)肖特基二极管——thinQ!2G是由一个肖特基结构和一个与它平行的独特的低电阻PN结组成,因此具备更加强大的浪涌电流处理能力,同时又继承了第一代碳化硅肖特基二极管所实现的良好的动态性能。
The second SiC silicon Schottky diode, the thiQ! 2G, is made up of a Schottky structure and a unique low-resistance PN junction parallel to it, and therefore has more powerful surge current handling capability And inherited the first generation of silicon carbide Schottky diode achieved good dynamic performance.
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