论文部分内容阅读
文章对薄膜双栅MOSFET器件的温度特性进行了研究。首先对其进行理论分析，得到亚阈值电流、阈值电压和饱和电流等随温度的变化关系，并计算出理论结果，再用Medici模拟仿真加以验证，比较了不同温度下的输出特性、饱和漏电流、阈值电压与温度变化的关系，验证结果表明两者是一致的。
对称薄膜双栅MOSFET温度特性的研究
【摘 要】
：
文章对薄膜双栅MOSFET器件的温度特性进行了研究。首先对其进行理论分析，得到亚阈值电流、阈值电压和饱和电流等随温度的变化关系，并计算出理论结果，再用Medici模拟仿真加以验证
【机 构】
：
安徽大学电子信息工程学院
【出 处】
：
合肥工业大学学报：自然科学版
【发表日期】
：
2012年6期
【基金项目】
：
国家自然科学基金资助项目(60876062)
其他文献
The problems existing in the method of calculating informatization level arepointed out. Three improved methods, which are used to calculate the informatization
由于中国专利纠纷案件的增长,针对专利保护范围的情报调查出现了需求.本文概述了此类信息服务的特点、主要工作模式和具体应用.