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采用射频磁控溅射技术，在室温溅射、后续退火条件下，以PbO为过渡层，在Pt（111）／Ti／SiO2／Si（100）衬底上制备出具有完全钙钛矿结构的（Pb0.90La0.10）Ti0.975O3（PLT）铁电薄膜；比较了在Pt（111）／Ti／SiO2／Si（100）衬底上有无PbO过渡层的PLT薄膜的微结构和铁电性能。实验结果表明，在Pt（111）／Ti／SiO2／Si（100）衬底上增加PbO过渡层提高了PLT薄膜的相纯度，并且所制备的PLT／PbO／Pt（111）／Ti／SiO2／Si（100）薄膜