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利用磁悬浮冷坩埚提拉法技术生长了Tb2Fe17和Tb2(Fe,Si)17的单晶，并用差热分析等方法研究了材料的相图。研究结果表明：Tb2Fe17的相关系并非以往报道的包晶反应，而是同成分熔化。本文还给出了Tb2Fe17化合物附近的新相图。采用优化后的生长条件，获得了缺陷较少的Tb2Fe17和Tb2(Fe,Si)17高质量单晶。分析了Si替代对于化合物结构的影响。测量了Tb2Fe17单晶样品的基本磁性。从材料的一级磁化过程的测量可以看出，在理想配比条件下最容易获得缺陷密度低的单晶样品。这种磁性测量方法为了解