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研究无镁处理诱导反复惊厥样放电对体外培养的发育中神经元造成的损伤。
方法培养的胚胎鼠大脑皮层神经元为研究对象，应用锥虫蓝染色、乳酸脱氢酶(LDH)活浓度测定、流式细胞计数、噻唑蓝(MTT)代谢率测定，观察神经元坏死、凋亡以及功能损伤。
结果(1)体外培养不同阶段(6、12、17 d)神经元无镁处理后不同时间(6、24、72 h)，存活神经元数目较对照组略减少，LDH活浓度较对照组略升高，但差异均无显著性(P均>0.05)。(2)体外培养不同阶段无镁处理后各时间点神经元凋亡较对照组略增加，但差异无显著性(P>0.05)。(3)体外培养6 d，无镁处理后6 h，MTT代谢率较对照组降低(P<0.05)，为对照组的86.4%；体外培养12、17 d，于无镁处理后24 h，较对照组降低(P<0.05)，分别为对照组的78.7%、70.9%。
结论无镁处理诱导的反复惊厥样放电引起的发育中神经元损伤主要是功能损伤。发育早期的神经元损伤发生早，但程度轻；发育相对成熟的神经元损伤发生晚，但程度重。