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di／dt缓冲电路中较高的开通电感使IGBT短路特性在两种短路模式下有明显的不同，由于短路开通时集电极一发射极电压的急剧减小，IGBT短路模式一中的特性变得格外重要，而且还引起I/CE变陡峭的去饱和过程。本文描述了该失效模式中IGBT特性，并给出了快速检测这种失效的两种备选方案。利用大面积高压压封IGBT模块及单IGBT芯片进行验证测试。