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利用第一性原理计算方法密度泛函理论的局域密度近似计算了纤锌矿氮化铝（AlN）、氮化镓（GaN）、氮化铟（InN）及其合金在双轴应变下的电子有效质量。对于GaN和AlN,张应变使电子有效质量增大而压应变使电子有效质量减少,但却使InN电子有效质量在张应变和压应变下都增大。由于三元合金（AlxGa1-xN,InxGa1-xN和AlxIn1-xN）与GaN异质结的新颖特性,同时计算了三元合金在松弛和应变下电子有效质量的变化趋势。受制于GaN基板的平面应力,外延AlxGa1-xN和AlxIn1-xN电子有效质量将