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通过闭管扩散方式，在NIN型InP／In0.82Ga0.18As／InP材料上制备了单元及八元平面型红外探测器件，研究了器件的光谱响应特性、变温电流-电压特性以及器件探测率的温度响应特性。研究表明，不同温度下，在较低的偏压下，器件的正向暗电流的主要成分为源于材料缺陷的产生-复合电流，随着电压增大，器件的电流将会受到串联电阻的限制而趋于饱和。在近室温（〉250K）下，器件的反向电流主要以扩散电流和产生-复合电流为主，随着温度降低（〈158K），与偏压成正比的隧穿电流将占优势。温度〉158K时，器件的R0A值