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利用射频磁控溅射法在硅衬底上制备出具有(002)择优取向的氧化锌薄膜,用波长为300nm的光激发,观察到在446nm处有一强的光致发光峰,它来自于氧空位浅施主能级上的电子到价带上的跃迁.并讨论了发光峰与氧压的关系以及退火对它的影响,且给出了解释.
射频磁控溅射法制备ZnO薄膜的发光特性
【摘 要】
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利用射频磁控溅射法在硅衬底上制备出具有(002)择优取向的氧化锌薄膜,用波长为300nm的光激发,观察到在446nm处有一强的光致发光峰,它来自于氧空位浅施主能级上的电子到价带上
【机 构】
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山东大学
【出 处】
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发光学报
【发表日期】
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2003年1期
【基金项目】
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国家自然科学基金，高等学校博士学科点专项科研项目
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