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围绕GaN光电阴极NEA特性的成因，结合激活过程中光电流变化规律和成功激活后阴极表面模型，研究了NEA GaN光电阴极光电发射机理。实验表明：NEA GaN激活过程中光电流在约1min之内就可达到峰值，Cs／O激活时引入O后光电流的增长幅度不大。根据Spicer光电发射理论，给出了反射模式NEA GaN光电阴极量子产额理论公式，激活成功后GaN光电阴极NEA特性的成因可以用双偶极层模型[GaN（Mg）：Cs]：Cs—O解释。