【摘 要】
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研究了用氩离子束辅助沉积 ( IBAD)技术制备的铁 /锆多层膜中的微结构演化规律。实验中所使用的氩离子能量范围为 4ke V到 1 2 ke V,束流密度为 1 2 μA/cm2 。实验结果表明
【机 构】
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研究了用氩离子束辅助沉积 ( IBAD)技术制备的铁 /锆多层膜中的微结构演化规律。实验中所使用的氩离子能量范围为 4ke V到 1 2 ke V,束流密度为 1 2 μA/cm2 。实验结果表明 ,用 IBAD技术可在富锆端制备出完全非晶化的薄膜。对于 Fe( 0 .54nm) /Zr( 4 .5nm)多层膜 ,随 Ar离子能量的增加 ,在薄膜中还观察到晶态 -非晶 -亚稳 fcc相 -非晶 -晶态的结构转变。对于富铁合金膜 ,IBAD技术仅能制备部分非晶化的薄膜。
The microstructure evolution of iron / zirconium multilayers prepared by argon ion beam assisted deposition (IBAD) technique was studied. The argon ion energies used in the experiment ranged from 4 keV to 12 keV and the beam current density was 12 μA / cm 2. The experimental results show that IBAD technology can be prepared in the zirconium-rich end of a fully amorphous film. For Fe (0.54nm) / Zr (4.5nm) multilayer films, the structural transition of the crystalline-amorphous-metastable fcc phase-amorphous-crystalline state is also observed in the thin film as the Ar ion energy increases . For ferrous alloy films, IBAD technology can only produce partially amorphous films.
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