【摘 要】
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电子产品的日益发展要求更高的封装密度、更好的性能和更小的尺寸,使得电子器件所承载的功率密度显著升高,由此产生严重的焦耳热问题,导致作为主要散热通道的微互连焊点内将
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电子产品的日益发展要求更高的封装密度、更好的性能和更小的尺寸,使得电子器件所承载的功率密度显著升高,由此产生严重的焦耳热问题,导致作为主要散热通道的微互连焊点内将产生较高的温度梯度,这将诱发金属原子的热迁移,并引起严重的可靠性问题。对近年来有关Sn-Pb、Sn-Ag、Sn-Ag-Cu、Sn-Bi和Sn-Zn等微互连焊点中金属原子的热迁移行为和关键问题进行综合分析,总结热迁移对微互连界面反应的影响,阐述金属原子热迁移的机理和驱动力,并归纳传递热Q＊的计算方法及微互连焊点中主要金属元素的Q＊值。最后,指出微互
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