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用分子束外延技术在ｐ型Ｓｉ衬底上生长成了Ｓｉ／Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变层超晶格和掺饵（Ｅｒ）ＳｉＯｘ外延层，用无接触法测定了它们的横向磁阻，并且用拟合方法由横向磁阻计算了它们的迁移率。
SiOx,Si／Si1—xGex的横向磁阻和迁移率的无接触测量
【摘 要】
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用分子束外延技术在ｐ型Ｓｉ衬底上生长成了Ｓｉ／Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变层超晶格和掺饵（Ｅｒ）ＳｉＯｘ外延层，用无接触法测定了它们的横向磁阻，并且用拟合方法由横向磁阻计算了它们的迁移率。
【机 构】
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复旦大学物理系,复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1999年1期
【基金项目】
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国家自然科学基金,应用表面物理国家重点实验室资助
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