用于平板摄像的CdSe靶面淀积参数对摄像特性的影响

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【摘要】

：

为了开发用于真空微电子平板摄像管Vacuum Microelectronics FlatPanelelCamera Tube(VME FPC)的高灵敏度CdSe多层光导靶面,改建了一台精确控制Cdse材料的蒸发速率、厚度和基

【作者】

：

吕永积刘光诒邵佑军施化芬

【机构】

：

广电总局广科光电研究所,中国科学院电子学研究所

【出处】

：

科学技术与工程

【发表日期】

：

2002年1期

【关键词】

：

真空热预处理VHPT 非真空热后处理NHAT 平板摄像管摄像特性淀积参数 CdSe多层光导靶面热处理工艺 vacuum microelectronics

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为了开发用于真空微电子平板摄像管Vacuum Microelectronics FlatPanelelCamera Tube(VME FPC)的高灵敏度CdSe多层光导靶面,改建了一台精确控制Cdse材料的蒸发速率、厚度和基体温度的高真空热蒸镀设备,开发了由真空热预处理,非真空热后处理组成的系列新处理工艺,制造出了新的高性能的CdSe多层光导靶.

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