选择外延MOVPE的表面迁移

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hanbing81868164

【摘要】

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研究了采用选择外延MOVPE生长InGaAsP的组分随掩模宽度的变化规律,以及InGaAsP表面边缘尖角随Ⅴ/Ⅲ比的变化.结果表明,随着掩模宽度的增大,In组分增大,Ga 组分减少;随着Ⅴ/Ⅲ

【作者】

：

邱伟彬董杰周帆王圩

【机构】

：

中国科学院半导体研究所

【出处】

：

半导体光电

【发表日期】

：

2002年3期

【关键词】

：

选择外延边缘尖角 INGAASP Ⅴ/Ⅲ比 selective area growth spike InGaAsP Ⅴ/Ⅲ ratio

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研究了采用选择外延MOVPE生长InGaAsP的组分随掩模宽度的变化规律,以及InGaAsP表面边缘尖角随Ⅴ/Ⅲ比的变化.结果表明,随着掩模宽度的增大,In组分增大,Ga 组分减少;随着Ⅴ/Ⅲ比的增大,InGaAsP 材料表面趋向平坦.对材料边缘尖角的变化规律作出了合理解释,研制出表面平坦的外延材料,为器件研制提供了有效的方法.

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