【摘 要】
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测量了晶格匹配InAlN/GaN异质结肖特基接触的反向变温电流-电压特性曲线,研究了反向漏电流的偏压与温度依赖关系.结果表明:1)电流是电压和温度的强函数,饱和电流远大于理论值
【机 构】
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江南大学电子工程系,北京智芯微电子科技有限公司,西安电子科技大学
【基金项目】
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国家自然科学基金(批准号:61504050,11604124,51607022),北京智芯微电子科技有限公司实验室开放基金资助的课题.
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测量了晶格匹配InAlN/GaN异质结肖特基接触的反向变温电流-电压特性曲线,研究了反向漏电流的偏压与温度依赖关系.结果表明:1)电流是电压和温度的强函数,饱和电流远大于理论值,无法采用经典热发射模型解释;2)在低偏压区,数据满足ln(I/E)-E^(1/2)线性依赖关系,电流斜率和激活能与Frenkel-Poole模型的理论值接近,表明电流应该为FP机制占主导;3)在高偏压区,数据满足ln(I/E)-E^(1/2)线性依赖关系,电流斜率不随温度改变,表明Fowler-Nordheim隧穿机制占主导;4)
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