一种MFIS类结构的阈值电压新模型及其C-V特性分析

来源 :复旦学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：nini8919

【摘要】

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采用物理和数学分析相结合的方法,构建了MFIS结构阈值电压的一种新的解析模型,对此解析模型的分析表明,铁电材料的介电常数越低,电滞回线的矩形度越好,MFIS结构的存储特性越

【作者】

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陈园琦林殷茵汤庭鳌夏立

【机构】

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复旦大学

【出处】

：

复旦学报(自然科学版)

【发表日期】

：

2005年1期

【关键词】

：

C-V特性阈值电压电滞回线解析模型工作频率介电常数铁电材料存储特性数学分析曲线 semiconductor technique nonvol

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采用物理和数学分析相结合的方法,构建了MFIS结构阈值电压的一种新的解析模型,对此解析模型的分析表明,铁电材料的介电常数越低,电滞回线的矩形度越好,MFIS结构的存储特性越好.由该模型进一步得到了MFIS结构的C-V曲线,对C-V曲线物理过程的分析表明,工作频率以及铁电电滞回线是否饱和对C-V特性有较大影响,而C-V曲线的窗口与MFIS结构存储特性密切相关.

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