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本文采用具有驰豫展宽的半导体激光器密度矩阵理论计算了（Ｇｅ）５／（Ｓｉ）５超晶格的线性光增益和导质结激光器的阈值电流密度，从理论上定量地比较了（Ｇｅ）５／（Ｓｉ）５超晶格ＧａＡｓ体材料的线性光增益和阈值电流密度。
应变（Ge）5／（Si）5超晶格的光学增益
【摘 要】
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本文采用具有驰豫展宽的半导体激光器密度矩阵理论计算了（Ｇｅ）５／（Ｓｉ）５超晶格的线性光增益和导质结激光器的阈值电流密度，从理论上定量地比较了（Ｇｅ）５／（Ｓｉ）５超晶格ＧａＡｓ体材料的线性光增益和阈值电流密度。
【机 构】
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集成光电子学国家联合实验室,中国科学院半导体研究所
【出 处】
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发光学报
【发表日期】
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1995年4期
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