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微通道板作为电子倍增器件可以对电子、离子、紫外和软X射线进行探测和成像。传统微通道板制备是采用玻璃纤维拉制和氢还原等技术，提出分别采用半导体体微加工和电化学腐蚀制备硅微通道板的新技术。在干法刻蚀中采用ICP技术制备了孔径为6～20μm、间隔4～8μm、长径比15-30的硅微通道板，初步试验结果为对于长径比为16的样品，电子增益为10°数量级。同时，开展了湿法电化学腐蚀技术制作硅微通道板的研究，分析讨论了电化学腐蚀微通道板的机理。结果表明，干法和湿法刻蚀技术可以制备高长径比硅微通道板，与ICP技术