【摘 要】
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基于InGap/GaAs HBT工艺设计了一款宽带无源双平衡混频器,针对双平衡混频器射频中频交叠及射频到中频端口隔离度差的问题,采用了双混频环+新型滤波补偿网络的结构,不仅提高了隔离度和线性度,同时扩宽了带宽,改善了混频器整体性能.射频、本振频率为1.5～5.0 GHz,射频功率为-10 dBm,本振功率为13 dBm,中频频率为DC～1.5 GHz.仿真结果表明,变频损耗(Conversion Loss)为7 dB,本振与射频信号隔离度(Iso_LO/RF)为44 dB,本振与中频信号隔离度(Iso_L
【机 构】
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西安邮电大学 电子工程学院, 陕西 西安 710121
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基于InGap/GaAs HBT工艺设计了一款宽带无源双平衡混频器,针对双平衡混频器射频中频交叠及射频到中频端口隔离度差的问题,采用了双混频环+新型滤波补偿网络的结构,不仅提高了隔离度和线性度,同时扩宽了带宽,改善了混频器整体性能.射频、本振频率为1.5～5.0 GHz,射频功率为-10 dBm,本振功率为13 dBm,中频频率为DC～1.5 GHz.仿真结果表明,变频损耗(Conversion Loss)为7 dB,本振与射频信号隔离度(Iso_LO/RF)为44 dB,本振与中频信号隔离度(Iso_LO/IF)为45 dB,射频与中频信号隔离度(Iso_RF/IF)为35 dB,ⅡP3为20 dBm,芯片面积为1.6 mm×1.6 mm.
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