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在SIMOX和Smart—cut SOI衬底上采用LOCOS和MESA隔离技术制备了部分耗尽PMOSFET，虽然LOCOS隔离器件的阈值电压较小，但其跨导和空穴迁移率明显小于MESA隔离器件．模拟表明，LOCOS场氧生长过程中，由于SiO2体积膨胀，在硅膜中形成较大的压应力，从而降低了空穴的迁移率．