PTCDI-C8作为阴极修饰层提高钙钛矿太阳能电池的性能

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【摘要】

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采用N,N′-二正辛烷基-3,4,9,10-苝四甲酰二亚胺(PTCDI-C8)对钙钛矿电池电子传输层(PCBM)进行界面修饰以减少PCBM与Al电极之间的漏电流,提高阴极的电子收集效率。通过调节PTC

【作者】

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李志成妙亚刘少伟王亚凌曹焕奇秦文静杨利营印寿根

【机构】

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天津理工大学材料科学与工程学院显示材料与光电器件教育部重点实验室,天津理工大学天津市光电显示材料与器件重点实验室

【出处】

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发光学报

【发表日期】

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2018年9期

【关键词】

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钙钛矿太阳能电池界面修饰空穴阻挡电子传输 perovskite solar cells interface engineering hole-blocki

【基金项目】

：

国家自然科学基金(51402214,61504097),天津市自然科学基金(17JCYBJC21000)资助项目

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采用N,N′-二正辛烷基-3,4,9,10-苝四甲酰二亚胺(PTCDI-C8)对钙钛矿电池电子传输层(PCBM)进行界面修饰以减少PCBM与Al电极之间的漏电流,提高阴极的电子收集效率。通过调节PTCDI-C8薄膜的厚度优化界面接触和电子传输性能。实验结果表明:当PTCDI-C8薄膜的厚度为20nm时得到的器件性能最优。光电转换效率(PCE)由5.26%提高到了8.65%,开路电压(Voc)为0.92V,短路电流(Jsc)为15.68mA/cm2,填充因子(FF)为60%。PTCDI-C8能够有效阻挡空穴

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