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沟槽式场效应管Trench MOSFET作为一种新型垂直结构器件，是在VDMOS的基础上发展起来的，属于高元胞密度器件，因其具有低导通电阻、低栅漏电荷密度的特点，所以功率损耗低、开关速度很快。文章通过对平面工艺和沟槽工艺2种场效应管结构进行比较，分析了沟槽式场效应管在缩小芯片面积和降低导通电阻方面的优势，并从应用的角度介绍了沟槽式场效应管在低压和开关方面的特点。