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利用透射电子显微镜（ＴＥＭ）首次观察到了生长过程中的单分散二氧化硅颗粒内部结构，在生长初期，单分散二氧化硅由结构疏松的絮状ＳｉＯ２组成，而在生长过程的中后期由结构密实的ＳｉＯ２组成。基于ＴＥＭ观察结果和生长过程中其它现象的研究，提出了单分散二氧化硅形成机理，利用该基理对一些实验现象进行了分析和讨论。