Ir(PPY)3掺杂PVK的电致发光机理

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:QB582
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
近几年来发展起来的电致磷光(electrophosphorescence)是有机发光二极管(OLED)研究的新生长点.对电致磷光发光机理的研究随即得到了人们普遍的关注.比较了不同正向偏压条件下Ir(PPY)3掺杂聚乙烯基咔唑(PVK)的光致发光(PL)和电致发光(EL)光谱.研究结果显示在电场和注入电流的共同作用下,PL光谱中基质PVK发光的相对强度并没有发生显著的变化.电场或注入载流子不会影响PVK向Ir(PPY)3的能量传递.磷光掺杂聚合物EL主要是由于载流子在掺杂磷光分子上的直接复合,而不是由基质向
其他文献
嵌入GaAs中的GaAsSb/GaInAs量子阱因其在1.3~1.5 μm光通信波段发光的潜力而受到关注,我们研究了一系列MBE生长的GaAsSb/GaInAs量子阱样品的光致发光,发现所有样品在室温下都
采用一步化学溶液法在玻璃衬底上通过改变溶液浓度、酸碱度等影响因素生长出不同形貌和不同尺寸的ZnO棒.已生长出的ZnO棒的形貌有细长棒形,垂直于衬底的规则六角形,短而粗的
采用LP-MOCVD技术在n-GaAs衬底上生长了AlGaInP/GaInP多量子阱红光LED外延片.研究表明退火对外延片性能有重要影响.与未退火样品相比,460℃退火15 min,外延片p型GaP层的空穴