论文部分内容阅读
本文在改进型电荷控制模型基础上,引进GSW速度场方程,推导出异质结绝缘栅场效应晶体管（HIGFETs）的I<sub>D</sub>-V<sub>D</sub>-V<sub>G</sub>,I<sub>DS</sub>-V<sub>G</sub>,G<sub>m</sub>,和C<sub>G</sub>等一系列静态特性方程。计算结果与文献实测