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为了高频LLC谐振变换器达到节能降损的目的,论文建立了确定器件和逻辑链路控制(LLC)谐振变换器设计参数对器件和变压器绕组损耗的影响,量化了氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)对降低转换器损耗的益处。器件损耗主要是由器件的传导电阻和转换器RMS电流所决定的传导损耗。RMS电流随着不同的励磁电流和死区时间组合而变化,需要根据器件参数正确选择来确保软开关。通过比较了谐振变换器中GaN HEMT和硅金氧半场效晶体管(Si MOSFET)器件的损耗,验证了基于GaN的变换器的峰值效率较高且等效总损耗较低。