【摘 要】
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针对掺氮超纳米金刚石（N-UNCD）制备过程中由于N2掺杂源的高活化能所致的氮原子有效掺入量低的问题,采用二乙胺同时作为碳源和氮源,通过微波等离子体化学气相沉积法（MPCVD）在硅基
【机 构】
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西南科技大学材料科学与工程学院,西南科技大学四川省非金属复合与功能材料重点实验室-省部共建国家重点实验室培育基地
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针对掺氮超纳米金刚石（N-UNCD）制备过程中由于N2掺杂源的高活化能所致的氮原子有效掺入量低的问题,采用二乙胺同时作为碳源和氮源,通过微波等离子体化学气相沉积法（MPCVD）在硅基底上沉积N-UNCD膜。用扫描电镜、拉曼光谱和XRD对其表面形貌、组成结构等进行分析,并将制备的N-UNCD薄膜作为工作电极,考察薄膜电化学电容和对多巴胺的电化学检测性能。结果表明,使用二乙胺为反应源制备所得膜材为典型的N-UNCD薄膜,将其作为工作电极,循环伏安法和计时电流法测试电容值分别为42.1μF·cm~（-
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