温度对ULSI硅衬底化学机械抛光去除速率及动力学的控制

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：fqdml

【摘要】

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对材料表面化学机械高精密加工的动力学过程及控制过程进行了深入研究.根据大量实验总结出了CMP的七个动力学过程,在ULSI衬底单晶硅片的CMP研究过程中,确定了在相同机械作用

【作者】

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刘玉岭牛新环檀柏梅王胜利

【机构】

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河北工业大学信息工程学院

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

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2007年z1期

【关键词】

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化学机械抛光动力学过程控制过程硅衬底去除速率抛光温度

【基金项目】

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天津市自然科学基金(批准号:043801211),高等学校博士学科专项科研基金(批准号:20050080007)及国家自然科学基金(批准号:10676008)资助项目Project supported by the Major Project of the Natural Science Foundation of Tianjin (No. 043801211),the Specialized R

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对材料表面化学机械高精密加工的动力学过程及控制过程进行了深入研究.根据大量实验总结出了CMP的七个动力学过程,在ULSI衬底单晶硅片的CMP研究过程中,确定了在相同机械作用条件下由温度引起的化学过程为CMP控制过程,对影响化学反应的关键因素进行了有效的优化,实现了多材料CMP速率的突破性提高.

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