【摘 要】
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AgSnO_2触头材料中的SnO_2近乎绝缘,为了提高触头材料的电性能提出了稀土材料La、Ce、Y和In共掺杂的方法。采用基于密度泛函的第一性原理对SnO_2以及单掺杂稀土元素的SnO_2和
【机 构】
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河北工业大学省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金（51777057）
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AgSnO_2触头材料中的SnO_2近乎绝缘,为了提高触头材料的电性能提出了稀土材料La、Ce、Y和In共掺杂的方法。采用基于密度泛函的第一性原理对SnO_2以及单掺杂稀土元素的SnO_2和共掺稀土元素和In的SnO_2晶胞进行能带和态密度的计算。结果表明：掺杂后的材料仍旧是直接带隙半导体材料,都具有热稳定性,共掺杂可以进一步使得导带底、价带顶向费米能级附近移动,进而窄化带隙;共掺杂比单掺的电子有效质量小,电导率大,其中Y和In共掺杂的导电性最好。共掺杂比单掺稀土元素更能提高AgSnO_2触头材料的导电性
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