GeSi/Si多层异质外延载流子浓度的分布

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：cookie2189

【摘要】

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通过实验确定了一种与GexSi1-x合金表面具有良好电化学界面的电解液，利用电化学C-V方法研究了多层GexSi1-x/Si异质外延材料的载流子浓度纵向分布．实验结果表明：采用这种电解

【作者】

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张秀兰朱文珍黄大定

【机构】

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中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室!北京100083,中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室!北京100083,中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室!北京100083

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

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2004年期

【关键词】

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GexSi1-x合金电解液电化学C-V

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通过实验确定了一种与GexSi1-x合金表面具有良好电化学界面的电解液，利用电化学C-V方法研究了多层GexSi1-x/Si异质外延材料的载流子浓度纵向分布．实验结果表明：采用这种电解液，利用电化学C-V载流子浓度纵向分布测量仪检测GexSi1-x/Si异质材料的载流子浓度纵向分布，重复性好，可靠性高．

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