【摘 要】
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研究了垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)功率器件在高温和直流应力下的退化和失效过程及机理。测量了栅极阈值电压[UGS(th)]、栅极-源极漏电流(IGSS)、静态漏极-源极通态电
【机 构】
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上海第二工业大学工程训练中心,安阳市环境监测中心站
【基金项目】
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上海第二工业大学校基金项目(EGD17XQD06)资助
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研究了垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)功率器件在高温和直流应力下的退化和失效过程及机理。测量了栅极阈值电压[UGS(th)]、栅极-源极漏电流(IGSS)、静态漏极-源极通态电阻[RDS(on)]、漏极-源极击穿电压(UDSS),发现RDS(on)在应力时间672~864 h范围内开始变大直至测试结束,其他各项电学参数总体保持稳定。测量了器件结到热沉的热阻(RTH), RTH保持稳定。研究表明器件的栅极、漏极、器件内部结构和焊料、管壳基本不受应力影响。对烧毁的器件进行微区分析,扫描电镜图片表明损坏
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