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研究了在可见光诱导条件下的近化学计量比掺镁铌酸锂的反转电压与光强之间的关系,并实现了利用可见光对晶体畴反转进行可控操作和实时监测．发现晶体的反转电压随光强增大而下降，最大降幅达到70％左右．探寻了可见光诱导铌酸锂晶体畴反转的形成机制，认为光诱导晶体畴反转的主要原因是光激载流子迁移改变了晶体内部的局域电场，造成了晶体极化反转电压的降低。