影响化学机械抛光4H导电SiC晶片表面质量的关键参数研究

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zel1988
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选用二氧化硅抛光液抛光4H导电Si C晶片表面,探究影响Si C晶片表面质量的关键参数,获得更高的去除效率和表面质量。实验结果表明,Si C表面的氧化是氢氧根离子和双氧水共同作用的结果。保持压力不变并增加氢氧根离子或双氧水的含量,Si C表面去除速率先增加后保持不变。在更大的压力下增加氢氧根离子的含量,Si C表面的抛光去除速率进一步增加。通过优化的抛光参数,Si C表面的抛光去除速率达到142 nm/h。进一步研究结果表明,保持化学机械抛光过程中氧化作用与机械作用相匹配,是获得高抛光效率和良好的表面质量
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