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本文分析计算了InGaAs／GaAs多量子阱(SEED)的激子吸收行为，对器件的多量子阱及谐振腔结构进行了设计和理论分析，用MOCVD系统生长了多量子阱外延材料，并且对器件的反射谱和光电流谱特性进行了测试。
InGaAs／GaAs多量子阱SEED设计和特性研究
【摘 要】
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本文分析计算了InGaAs／GaAs多量子阱(SEED)的激子吸收行为，对器件的多量子阱及谐振腔结构进行了设计和理论分析，用MOCVD系统生长了多量子阱外延材料，并且对器件的反射谱和光电流
【机 构】
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集成光电子学国家重点联合实验室
【出 处】
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光电子·激光
【发表日期】
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2004年期
【基金项目】
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国家自然科学基金;
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