【摘 要】
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为了缩小温度传感器占用芯片面积及减少使用芯片引脚个数,采用一种新型片上CMOS温度传感器结构。该结构将带有温度信息的PNP型晶体管的基-射电压VBE与斜坡发生器输出电压进行
【机 构】
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华中师范大学物理科学与技术学院硅像素实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金面上项目(11375073)
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为了缩小温度传感器占用芯片面积及减少使用芯片引脚个数,采用一种新型片上CMOS温度传感器结构。该结构将带有温度信息的PNP型晶体管的基-射电压VBE与斜坡发生器输出电压进行比较,其比较结果以脉宽形式输出。在片外通过测量输出脉宽宽度从而得到芯片内部温度。该温度传感器仅需消耗一个引脚即可完成“上电测量-测温读出-断电停止测温”的整个过程。通常,温度传感器处于断电状态,仅在需要测量温度时开始工作,达到了降低功耗的目的。该电路采用0.35μmCMOS工艺设计,版图面积仅有0.0024mm^2。通过后仿真,测得温度
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