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测量了反应堆脉冲中子及γ辐照SiGe HBT典型电参数变化．在反应堆1×10%13cm^-2的脉冲中子注量和256.85Gy（Si）γ总剂量辐照后，SiGeHBT静态共射极直流增益减小了20％．辐照后基极电流、结漏电流增大，集电极电流、击穿电压减小．特征截止频率fT基本不变，fmax略有减小．初步分析了SiGe HBT反应堆脉冲中子及γ辐射的损伤机理．