激光定域晶化技术制备纳米硅的研究

来源 :微纳电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yuhy07

【摘要】

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利用相移光栅模板使KrF准分子激光形成强度周期分布的激光束,定域晶化a-Si:H(4 nm)/a-SiNx:H(10 nm)多层膜中的超薄a-Si:H层,成功地制备出了三维有序分布的nc-Si阵列.原子力

【作者】

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朱乐仪黄信凡王立王晓伟马忠元李伟陈坤基

【机构】

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南京大学物理系

【出处】

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微纳电子技术

【发表日期】

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2002年7期

【关键词】

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激光定域晶化制备纳米硅相移光栅 laser crystallization nanocrystal-Si microstructure

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利用相移光栅模板使KrF准分子激光形成强度周期分布的激光束,定域晶化a-Si:H(4 nm)/a-SiNx:H(10 nm)多层膜中的超薄a-Si:H层,成功地制备出了三维有序分布的nc-Si阵列.原子力显微镜(AFM)、微区喇曼光谱、剖面透射电子显微镜(X-TEM)及高分辨电子显微镜(HREM)技术分析揭示了晶化后薄膜中形成了横向周期与移相光栅周期相同、纵向周期与a-Si:H/a-SiNx:H多层膜周期(14 nm)相等的nc-Si阵列.

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