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将具有能量９２ｋｅＶ、剂量１×１０＾１５／ｃｍ＾２的ＢＦ＾＋注入由ＰＥＣＶＤ方法制备的ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜中，然后用功率为６０Ｗ、束斑直径０．２ｃｍ的ＣＷＣＯ２激光器进行１０ｓ快速退火。再用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）进行显微形貌观察。分析结果指出：由于ＢＦ＾＋的注入，ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜中产生了多重结构缺陷，其表面轮廓是类似矩形和方形的图形；发现退火中的晶化是从这些缺陷的棱边开始，最后对晶化过程和机理进行了