【摘 要】
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以聚碳硅烷(PCS)为陶瓷先驱体,采用PIP工艺制备3D—B Cf／SiC复合材料,研究了首周期采用不同裂解方式对基体及材料性能的影响。研究结果表明,首周期采用真空裂解或加压(5MPa)裂
【机 构】
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国防科技大学新型陶瓷纤维及复合材料国防科技重点实验室国防科技大学新型陶瓷纤维及复合材料国防科技重点实验室长沙
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以聚碳硅烷(PCS)为陶瓷先驱体,采用PIP工艺制备3D—B Cf／SiC复合材料,研究了首周期采用不同裂解方式对基体及材料性能的影响。研究结果表明,首周期采用真空裂解或加压(5MPa)裂解,先驱体的陶瓷产率不同, 加压裂解的陶瓷产率最高,达到67．2％。裂解方式对产物的晶体结构没有明显的影响;首周期采用真空裂解制得的Cf／SiC复合材料性能最优,室温弯曲强度和断裂韧度达到404MPa和20．2MPa·m1/2,分别比采用加压裂解所得材料的性能提高40．7％和42．3％。
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