窄带隙半导体耦合Bi2S3/g-C3N4催化剂制备及光催化性能

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利用原位生成法,制备了Bi2S3含量可调的Bi2S3/g-C3N4复合材料。通过X-射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、光致发光光谱(PL)、时间分辨荧光衰减光谱等手段对制备的光催化剂物相、形貌、结构和性能进行表征分析。可见光照射下,以罗丹明B(Rh B)为降解模型评价Bi2S3/g-C3N4复合材料的催化性能。结果表明:Bi2S3沉积在g-C3N4表面,显著增强g-C3N4的可见光催化性能,并随着Bi2S3含量不同,复合光催化剂Bi2S3/g-C3N4的催化性能发生变化,其中Bi2S3质量分数为5%
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