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在CdZnTe表面采用真空蒸镀制备了Au和Al电极，研究了在N2氛围退火对Al／CdZnTe接触特性的影响。退火温度在100℃到300℃之间变化，退火时间为5min。采用Agilent4155c半导体测试仪测试了样品在不同温度退火后的I-V特性。采用Agilent4294A高精度阻抗分析仪测试了样品在不同温度退火后的C—V特性。I-V和C—V曲线表明，低温退火会使接触势垒高度增加，理想因子趋近于1，电容值下降为退火前的一半左右。当退火温度高于250℃时，接触势垒高度下降，理想因子偏离1，电容值下降近一个数