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中红外区基质折射率对碳化硅颗粒散射强度的影响
中红外区基质折射率对碳化硅颗粒散射强度的影响
来源 :激光与红外 | 被引量 : 0次 | 上传用户:kuwa_li
【摘 要】
:
基于Mie散射理论,对不同基质中的碳化硅材料散射强度进行数值计算与理论分析,得到了中红外波段反常色散区和正常色散区中散射强度的分布特征,揭示了入射波长、基质折射率与散射
【作 者】
:
徐庆君
庄申栋
【机 构】
:
枣庄学院光电工程学院
【出 处】
:
激光与红外
【发表日期】
:
2011年12期
【关键词】
:
反常色散
正常色散
MIE散射
散射强度
SiC
abnormal dispersion
normal dispersion
Mie scattering
【基金项目】
:
山东省优秀中青年科学家科研奖励基金项目(No.2008BS01021),枣庄市科技攻关计划项目(No.201031-2),2008年枣庄学院科技计划项目资助.
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基于Mie散射理论,对不同基质中的碳化硅材料散射强度进行数值计算与理论分析,得到了中红外波段反常色散区和正常色散区中散射强度的分布特征,揭示了入射波长、基质折射率与散射强度分布的内在规律。研究结果为该材料在中红外区的开发和应用提供了理论依据。
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