【摘 要】
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采用直流溅射方法研究Cu（In0.7Ga0.3）Se （CIGS）薄膜太阳电池的背电极Mo薄膜、吸收层CIGS薄膜、缓冲层ZnS薄膜以及窗口层ZnO∶Al（ZAO）薄膜的制备条件,并利用XRD、AFM和SEM对薄膜表面
【机 构】
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许继集团有限公司,河南师范大学物理与信息工程学院
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采用直流溅射方法研究Cu（In0.7Ga0.3）Se （CIGS）薄膜太阳电池的背电极Mo薄膜、吸收层CIGS薄膜、缓冲层ZnS薄膜以及窗口层ZnO∶Al（ZAO）薄膜的制备条件,并利用XRD、AFM和SEM对薄膜表面形貌进行表征.根据实验结果制备了性能良好的CIGS薄膜电池,并初步研究了电池的Ⅰ-Ⅴ特性,研究发现制备的太阳电池的填充因子大概为36％,并分析影响填充因子的原因.通过反复研究CIGS薄膜电池的制备条件,为制备高效CIGS薄膜电池奠定了基础.
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