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针对桥区形状为尖角形的半导体桥在尖角处电流密度过于集中、易发生静电损伤的问题，提出将半导体桥的尖角部分设计为圆弧的形状，达到提高半导体桥抗静电能力的目的。静电实验发现圆弧型半导体桥在10000pF电容、25kV电压并且串联5000Ω电阻的静电冲击条件下完好无损。33μF电容、19V电压放电模式下，静电冲击前后圆弧型半导体桥的发火时间基本没变，而尖角型半导体桥的发火时间发生了较长的延迟，证明圆弧型半导体桥在保证发火的前提下抗静电能力得到增强。