【摘 要】
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东京工艺研究所研制成功一种薄膜无定形硅的晶体管。生产这种晶体管的过程如下:单晶硅衬底表面经热氧化生成1微米厚的 SiO_2层,用硅烷为原料在氧化层上生长约0.13微米厚的无
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东京工艺研究所研制成功一种薄膜无定形硅的晶体管。生产这种晶体管的过程如下:单晶硅衬底表面经热氧化生成1微米厚的 SiO_2层,用硅烷为原料在氧化层上生长约0.13微米厚的无定形硅,并制成200×40微米的 MOS 晶体管,源电极和漏电极用铝连结。
Tokyo Institute of Technology developed a thin film amorphous silicon transistor. The process of producing such a transistor is as follows. The surface of the single-crystal Si substrate is thermally oxidized to form a 1-μm-thick SiO 2 layer. About 0.13-μm-thick amorphous silicon is grown on the oxide layer from silane and a 200 × 40 μm MOS transistor, the source electrode and the drain electrode are connected by aluminum.
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