MOCVD工艺中使用的特种气体

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【摘要】

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<正> 一、引言金属有机化学气相淀积法(简称MOCVD法)是1968年由H.M.Manasevit等首先提出的。该法以挥发性金属有机物和气态的非金属氢化物作为源材料,采用与硅外延淀积相类似

【作者】

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【出处】

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低温与特气

【发表日期】

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1985年04期

【关键词】

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<正> 一、引言金属有机化学气相淀积法(简称MOCVD法)是1968年由H.M.Manasevit等首先提出的。该法以挥发性金属有机物和气态的非金属氢化物作为源材料,采用与硅外延淀积相类似的生长装置,进行化合物半导体的外延淀积。

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