【摘 要】
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氮化铝具有良好的热学、电学和机械等性能,是理想的电子封装材料和高性能陶瓷基板材料。本文研究了Al N加入量和烧结温度对Al2O3/AlN复相陶瓷相组成和显微组织的影响。结果表
【机 构】
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沈阳工业大学材料科学与工程学院,富士康科技集团,中国医科大学
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氮化铝具有良好的热学、电学和机械等性能,是理想的电子封装材料和高性能陶瓷基板材料。本文研究了Al N加入量和烧结温度对Al2O3/AlN复相陶瓷相组成和显微组织的影响。结果表明该陶瓷在1400~1550℃烧结时,Al N被部分保留,少量氧原子进入AlN晶格,烧结生成4种铅锌矿结构新相,有利于提高复相陶瓷热导率;氮化铝含量和烧结温度的提高,有利于形成大尺寸晶粒。
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