【摘 要】
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本文以Si（100）为衬底,利用水平式常压冷壁化学气相沉积（APCVD）系统在不同温度（1100～1250℃）下制备的＂缓冲层＂上生长了3C-SiC薄膜。结果表明,薄膜为外延生长的单一3C-SiC多型,薄膜表面
【机 构】
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中国科学院上海硅酸盐研究所,中国科学院大学
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本文以Si（100）为衬底,利用水平式常压冷壁化学气相沉积（APCVD）系统在不同温度（1100～1250℃）下制备的＂缓冲层＂上生长了3C-SiC薄膜。结果表明,薄膜为外延生长的单一3C-SiC多型,薄膜表面呈现＂镶嵌＂结构特征,Si/3C-SiC界面平整无孔洞。碳化温度对薄膜的结晶质量和表面粗糙度有显著的影响,当碳化温度低于或高于1200℃时,薄膜的结晶质量有所降低,且随着碳化温度的升高,薄膜表面粗糙度呈现增大的趋势。当在1200℃下制备的＂缓冲层＂上生长薄膜时,可以获得最优质量的3C-SiC外延膜,
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